【本文来自持牌证券机构,不代表平台观点,请独立判断和决策】
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据CFM闪存市场数据显示,2025Q3全球存储市场规模创造季度历史新高,且已连续两个季度增长,其中DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元,NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元。
同时,中芯国际在其投资者关系活动记录表中表示,当前产线处于高度饱满状态,三季度产能利用率已达95.8%。为应对市场需求,中芯国际承接了大量模拟芯片、存储芯片存储器件(Flash)。中芯国际判断“供应缺口5%可能引发价格成倍影响”。此外,其指出新厂商进入需长达16个月以上的周期,这从供给侧强化了当前高价态势的持续性,意味着现有头部存储厂商的盈利窗口期有望延长,竞争格局难以被快速颠覆。
国信证券指出,当前存储芯片有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期,需求拉动力更强、存储技术迭代进一步加速、供给端产能调控策略升级,同时短期供给端新增产能有限,供需缺口有望维持,本轮存储行业涨价持续性或更强。
全球八大核心云端服务提供商2025年以来均加大资本投入以响应AI数据中心与云端运算的旺盛需求,根据TrendForce集邦咨询预测,2025年全球八大云厂商资本支出总额年增率预计为65%,并预期2026年行业仍将维持积极投资节奏,合计资本支出将突破6000亿美元,年增率达40%。
资本支出的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温,进而拉动存储器等上游供应链需求。在存储器下游应用中,服务器存储占比有望进一步提升,NAND领域,算力中心积极应用超高容量eSSD提升性能、降低能耗;DRAM方面,随着支持DDR5的处理器平台渗透率提升、搭载AI加速芯片的AI服务器出货放量,服务器DDR5及HBM需求快速增长。同时,2024-2025年全球手机及PC出货量持稳,AI手机、AIPC等智能终端加速渗透,端侧存储有望持续扩容。

①HDD:HDD即硬盘,主要通过提升面密度提升HDD容量,近期HAMR(热辅助磁记录)技术可以大幅提升单碟容量,市场格局呈现双寡头垄断,希捷科技、西部数据为主要参与者;
②SSD:SSD即固态硬盘,一种以NANDFlash为介质的存储设备,NAND堆叠层数持续增长,单元架构逐步从SLC转化为MLC、QLC,市场参与者主要为三星、海力士(包括Solidigm)、美光、闪迪、铠侠;
③DRAM:DRAM具备功耗小,集成度高,成本低等优势,逐步从DRAM迭代至SDRAM、DDR,目前头部厂商已经开始对DDR6研发,下游需求主要在手机、PC、服务器领域,主要参与者包括三星、海力士、美光;
④HBM:多层DRAM芯片堆叠,通过TSV实现垂直方向的互联,进而具有更高的存储密度和更大的带宽,目前主要应用于AI领域,主要参与者为海力士、美光、三星;
⑤NAND:存储单元表达的bit数持续增长,堆叠层数持续增长,下游需求主要为SSD和手机,主要参与者为三星、海力士、铠侠、美光、闪迪。
HBM、DDR5引领高端DRAM市场,其中HBM技术持续迭代,存储容量与带宽不断提升,主流AI加速卡多数采用HBM配置方案,有望推动HBM市场规模稳步增长;DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。NAND市场方面,QLCNAND技术逐步成熟,兼顾大容量、低功耗、高性能的QLCSSD成为企业级存储新星,渗透率有望提升。为应对AI算力旺盛需求,存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节,减产或停供DDR4等传统产品,使相关产品价格大幅上扬。

全球存储市场集中度较高,竞争格局较为稳定,三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列。国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应,出货量有望逐步攀升。国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。AI驱动、技术创新叠加供需格局变化,国内存储厂商、模组厂商有望充分受益于存储新一轮景气周期。此外,存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支,上游半导体设备有望受益。
AI浪潮持续推进,云厂商资本开支加速,服务器存储需求旺盛;同时AI+消费终端等应用加速渗透,端侧存储持续扩容,存储行业有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。
关注:
存储模组公司:德明利、江波龙、开普云、香农芯创、佰维存储、天山电子等。
长鑫链:兆易创新、晶合集成、汇成股份、深科技、拓荆科技、精智达、骄成超声、百傲化学等。
存储设计公司:普冉股份、聚辰股份、澜起科技、东芯股份、恒烁股份等。
研报来源:国信证券,熊莉,S0980519030002,计算机行业人工智能存储系列报告一:AI拉动需求增长,存储大周期方兴未艾。2025年12月09日
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